IGBT管、可控硅、二極管通態(tài)壓降測(cè)試儀●　有不少用戶來(lái)電詢問(wèn)有沒(méi)有一種可以直接測(cè)量功率場(chǎng)效應(yīng)管、IGBT管、可控硅等器件判斷“電流"大小的儀器?　　　　　其實(shí)器件通過(guò)電流的大小的能力是:　　　　　 　　　
⑴、和器件芯片的面積成正比。即：芯片面積越大可以通過(guò)的電流就大，反之則小?！　　　　　　　　?br />⑵、和器件導(dǎo)通時(shí)的壓降成反比。即：通態(tài)壓降越小的管子就可以承受更大的通態(tài)電流?！　　　　　　　　?br />⑶、和器件的散熱面積成正比。即:封裝越大可承受的功耗和電流相對(duì)就大,反之則小?！　　?br />●　IGBT管、可控硅、二極管通態(tài)壓降測(cè)試儀這三個(gè)因素直接關(guān)系到器件輸出電流能力的大小；由于芯片是封在器件里面的無(wú)法檢測(cè),設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)器件的型號(hào)和封裝及散熱條件也已確定,所以我們只能通過(guò)測(cè)量器件在大電流時(shí)的通態(tài)壓降來(lái)檢驗(yàn)器件的質(zhì)量好壞，為此我們也必須要學(xué)會(huì)看器件的基本參數(shù),在眾多參數(shù)中我們更要知道和輸出電流、輸出功率有關(guān)的參數(shù)?！　　　　　　　　?br />⑴、功率場(chǎng)效應(yīng)管的內(nèi)阻：Rds。如:（IRF3205在62A的條件下測(cè)試 Rds ≤0.008Ω）?！　　　　　　　　?br />⑵、IGBT管的飽和壓降：Vce(sa